2SA2154CT 8F 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~240 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) General Purpose Amplifier Applications ? High voltage and high current : VCEO = ?50V, IC = ?100mA (max) ? Excellent hFE linearity : hFE (IC = ?0.1 mA) / hFE (IC = ?2 mA)= 0.95 (typ.) ? High hFE : hFE = 120 to 400 ? Complementary to 2SC6026CT |
| 描述与应用 |
东芝晶体管的硅PNP外延式（PCT的进程） 通用放大器应用 ?高电压和高电流：VCEO=-50V，IC=电流100mA（最大值） ?优秀的HFE线性 ??HFE（IC= -0.1毫安）/ HFE（IC=-2毫安）= 0.95（典型值） ?高HFE：HFE=120?400 ?2SC6026CT互补 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
