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2SD1005
 型号：  2SD1005
 标记/丝印/代码/打字：  BV
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-89
 批号：  05+
 库存数量：  233
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD1005 BV 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 100V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 80V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 160MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 135~270
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 150mV/0.15V
耗散功率Pc Power Dissipation 2W
Description & Applications Silicon NPN epitaxial transistors description 2SD1007 is designed for audio frequency power amplifier application , especially in hybrid integrated circuits Features * high collector to emitter voltage * world standard miniature package * excellent DC current gain linearity
描述与应用 NPN硅外延晶体管 描述 2SD1007是专为音频功放中的应用， 特别是在混合集成电路 ?特点 *高集电极到发射极电压 *世界标准的微型封装 *卓越的DC电流增益线性
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