2SD1823-R 1ZR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
120MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
400~800 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
50mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
*Silicon NPN epitaxial planer type * low-frequency amplification Features *High foward current transfer ratio hFE. *Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) *High emitter to base voltage VEBO. *Low noise voltage NV. |
| 描述与应用 |
* NPN硅外延平面型 *低频放大 特点 *高FOWARD电流传输比HFE。 *低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） *高发射器基极电压VEBO。 *低噪声电压NV。 |
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