2SD813 QR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
65~220 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
200mV/0.2V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Si NPN epitaxial planar AF output Amplifer Low Vce(sat) Good linearity of Hfe ,at low collector voltage |
| 描述与应用 |
硅NPN外延平面 AF输出放大器 低VCE（sat） HFE良好的线性关系，在集电极电压低 |
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