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3SK136
 型号：  3SK136
 标记/丝印/代码/打字：  IV
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-143/MPAK-4
 批号：  05+
 库存数量：  6000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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3SK136 IV 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 35mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.3--3/-0.4--2
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Features SILICON N-CHANNEL DUAL GATE MOS FET VHF TV TUNER RF AMPLIFIER
描述与应用 特性 硅N沟道双栅MOS FET VHF电视调谐射频放大器
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