BCX56-10 DF 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
63~160 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
2V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
NPN medium power transistors Features High current Two current gain selections High power dissipation capability Applications Linear voltage regulators Low-side switches MOSFET drivers Ampli?ers |
| 描述与应用 |
NPN中等功率晶体管 特点 高电流 两个电流增益的选择 高功率耗散能力 应用 线性稳压器 低边开关 MOSFET驱动器 放大器 |
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