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BGB420
 型号：  BGB420
 标记/丝印/代码/打字：  MB
 厂家：  INFINEON
 封装：  SOT-343
 批号：  04+NOPB
 库存数量：  2100
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BGB420 MB 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 3.5V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 30MA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 6GHZ
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 120MW/0.12W
Description & Applications * BGB420 Active Biased Transistor. * For high gain low noise amplifiers. * Ideal for wideband applications, cellular telephones,cordless telephones, SAT-TV and high frequency oscillators. * Gma=17.5dB at 1.8GHz. * Small SOT343 package. * Current easy adjustable by an external resistor. * Open collector output. * Typical supply voltage: 1.4-3.3V. * SIEGET*-25 technology.
描述与应用 * BGB420有源偏置晶体管。 *对于高增益低噪声放大器。 *非常适于宽带应用，移动电话，无绳电话，卫星电视和高频率的振荡器。MA =17.5分贝为1.8GHz。 * 小型SOT343封装。 * 电流容易通过外部电阻可调。 * 集电极开路输出。 * 典型电源电压：1.4-3.3V。 * SIEGET*-25技术。
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