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H5N0201MFDN
 型号：  H5N0201MFDN
 标记/丝印/代码/打字：  DN
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-523
 批号：  05+
 库存数量：  2400
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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H5N0201MFDN DN 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 0.05A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2.8Ω~3.6Ω VGS=4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation
Description & Applications
描述与应用
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