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MBRA210ET3G
 型号:  MBRA210ET3G
 标记/丝印/代码/打字:  B2E1
 厂家:  ON
 封装:  SMA/DO-214AC
 批号:  05+ROHS
 库存数量:  1200
 所属分类:  二极管Diodes
  肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes
    单管Single
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MBRA210ET3G B2E1 的参数

反向电压Vr Reverse Voltage 10V
平均整流电流Io AVerage Rectified Current 2A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 500mV/0.5V
最大耗散功率Pd Power dissipation
Description & Applications ? Low IR, Extends Battery Life ? 1st in the Market Place with a 10 VR Schottky Rectifier ? Compact Package with J?Bend Leads Ideal for Automated Handling ? Highly Stable Oxide Passivated Junction ? Guardring for Over?Voltage Protection ? Optimized for Low Leakage Current ? Surface Mount Schottky Power Rectifier
描述与应用 ?低IR,延长电池寿命 ?第一次在市场上10 VR肖特基整流器 ?高度稳定的氧化钝化结 ?Guardring的过电压保护 ?低漏电流优化 ?表面贴装肖特基功率整流器
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MBRA210ET3G B2E1 ON 05+NOPB SMA/DO-214AC 0 二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single 查看
MBRA210LT3G B2L1 ON 06+PB SMA/DO-214AC 0 二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single 查看
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