MCH3412 KM 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20v |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.084Ω/Ohm @1.5A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.2-2.6V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications ? Low ON-resistance. ? Ultrahigh-speed switching. ? 4V drive. |
| 描述与应用 |
N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 ?低导通电阻。 ?超高速开关。 ?4V驱动器 |
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