NTR1P02T1 P2 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.135Ω @-700mA,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.7--1.253 |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
400mW/0.4W |
| Description & Applications |
Features ? Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life ? Miniature SOT?23 Surface Mount Package Saves Board Space ? Pb?Free Package is Available |
| 描述与应用 |
?低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 ?微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 ?无铅包装是可用 |
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