PBSS5140U 51t 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
300~800 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
40 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES ? Low collector-emitter saturation voltage ? High current capability ? Improved device reliability due to reduced heat generation ? Enhanced performance over SOT23 1A standard packaged transistor. APPLICATIONS ? General purpose switching and muting ? LCD back lighting ? Supply line switching circuits ? Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices). |
| 描述与应用 |
40伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?高电流能力 ?提高设备的可靠性，由于产生的热量减少 ?增强的性能超过SOT231A标准包装的晶体管。 应用 ?通用开关和静音 ?LCD背照明 ?供电线路开关电路 ?电池驱动设备（手机，摄像机和手持设备）。 |
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