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PDTC143XE
 型号：  PDTC143XE
 标记/丝印/代码/打字：  34
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-523
 批号：  03+3KROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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PDTC143XE 34 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 4.7KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 10KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 0.47
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 50
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation 0.15W/150mW
Description & Applications FEATURES ? Built-in bias resistor R1 (typ. 4.7 k?) ? Simplification of circuit design ? Reduces number of components and board space ?100 mA output current capability
描述与应用 特性 ?内置偏置电阻R1（典型值4.7kΩ） ?简化电路设计 ?减少元件数量和电路板空间 ?100 mA输出电流能力
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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