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RJK005N03
 型号：  RJK005N03
 标记/丝印/代码/打字：  KV
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  08NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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RJK005N03 KV 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.4Ω/Ohm @500mA,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications 2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Low On-resistance. Low voltage drive (2.5V drive)
描述与应用 2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 低电压驱动（2.5V驱动器）
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