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RJP020N06
 型号:  RJP020N06
 标记/丝印/代码/打字:  LS
 厂家:  ROHM
 封装:  SOT-89/SC-62/MPT3
 批号:  06NOPB
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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RJP020N06 LS 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.24mA,@3A,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.8-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications 2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Low On-resistance. Low voltage drive (2.5V drive)
描述与应用 2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 低电压驱动(2.5V驱动器)
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