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RSF014N03 PN 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1.4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.24Ω/Ohm @1.4A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
800mW/0.8W |
| Description & Applications |
4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOSFET Low On-resistance. Space saving, small surface mount package (TUMT3). 4V drive. |
| 描述与应用 |
4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOSFET 低导通电阻。 节省空间，小型表面贴装封装（TUMT3）。 4V驱动器 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| RSF014N03 |
PN |
ROHM |
05+PB |
SOT-323/SC-70/UMT3 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| URSF05G49-1P |
PB |
TOSHIBA |
08ROHS |
SOT-89 |
0 |
可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR-单向可控硅Thyristor,SCR |
查看 |
| URSF05G49-1P |
PB |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-89 |
0 |
可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR-单向可控硅Thyristor,SCR |
查看 |
| URSF05G49-5P |
PD |
TOSHIBA |
07+ |
SOT-89 |
1108 |
可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR-单向可控硅Thyristor,SCR |
查看 |
| URSF05G49-3P |
PC |
TOSHIBA |
09+ |
SOT-89 |
3000 |
可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR-其它Other |
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