RTQ035N03 QP 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.067Ω/Ohm @2.5A,4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
800mW/0.8W |
| Description & Applications |
2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. Space saving?small surface mount package (TUMT3). Low voltage drive (2.5V drive). |
| 描述与应用 |
2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 节省空间的小型表面贴装封装（TUMT3）。 低电压驱动 |
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