SI1012R C 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
6V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
600mA/0.6A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.70Ω/Ohm @500mA,4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.45-0.9V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ?TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated ? Gate-Source ESD Protected: 2000V ? High-Side Switching ? Low On-Resistance: 0.7 ? ? Low Threshold: 0.8 V (typ.) ? Fast Switching Speed: 10 ns ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC |
| 描述与应用 |
N沟道1.8 V（G-S）的MOSFET 功率MOSFET：1.8 V额定 ?门源ESD保护：2000 V ?高边开关 ?低导通电阻：0.7? ?低阈值：0.8 V（典型值） ?开关速度快：10 ns的 ?符合RoHS指令2002/95/EC |
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