SI3433DV-T1-E3 3A 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4.3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
80m?@ VGS = -1.8V, ID = -1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.1W |
| Description & Applications |
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET |
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