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SI3441DV
 型号：  SI3441DV
 标记/丝印/代码/打字：  41
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSOP6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SI3441DV 41 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -3.3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.067Ω @-3.3A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45V-0.95V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
描述与应用 P沟道2.5-V（G-S）的MOSFET
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