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SI5475DC
 型号：  SI5475DC
 标记/丝印/代码/打字：  8FX
 厂家：  VISHAY
 封装：  1206-8
 批号：  06+ROHS
 库存数量：  400
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SI5475DC 8FX 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -7.6A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 27m?@ VGS = -4.5V, ID = -5.5A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.5W
Description & Applications P-Channel 12-V (D-S) MOSFET TrenchFET 功率MOSFET
描述与应用 P沟道12-V（D-S）的MOSFET 特点 *TrenchFET 功率MOSFET *低导通电阻 应用 *用于便携式设备的电池和负载开关
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