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SSM6J08FU
 型号:  SSM6J08FU
 标记/丝印/代码/打字:  KDD
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-363/SC70-6/US6
 批号:  05+NOPB
 库存数量:  42000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SSM6J08FU KDD 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -1.3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.14Ω @-650mA,-4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications Power Management Switch DC-DC Converter Small Package Low on Resistance : Ron = 0.18 ? (max) (@VGS = ?4 V) Ron = 0.26 ? (max) (@VGS = ?2.5 V) Low Gate Threshold Voltage
描述与应用 电源管理开关 DC-DC转换器 小包装 低电阻:罗恩= 0.18Ω(最大)(@ VGS=-4 V上) 罗恩= 0.26Ω(最大)(@ VGS= -2.5 V) 低栅极阈值电压
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