SSM6J50TU KPB 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
64m?@ VGS = -4.5V, ID = -1.5A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.5~-1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅢ) ○ High Current Switching Applications ? Compact package suitable for high-density mounting ? Low on-resistance: Ron = 205mΩ (max) (@VGS = -2.0 V) Ron = 100mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) Ron = 64mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（U-MOSⅢ） ○高电流开关应用 ?紧凑型封装，适用于高密度安装 ?低导通电阻RON =205mΩ（最大）（@ VGS=-2.0 V） RON=100MΩ（最大）（@ VGS= -2.5 V） RON=64mΩ（最大）（@ VGS= -4.5 V） |
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