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SSM6K08FU
 型号：  SSM6K08FU
 标记/丝印/代码/打字：  KDC
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88/US6
 批号：  05+
 库存数量：  1450
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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SSM6K08FU KDC 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 1.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.105Ω/Ohm @800mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications High Speed Switching Applications Small package Low on resistance: Ron = 105 m? (max) (@VGS = 4 V) Ron = 140 m? (max) (@VGS = 2.5 V) High-speed switching: ton = 16 ns (typ.) toff = 15 ns (typ.)
描述与应用 高速开关应用 小型封装 低导通电阻RON =105MΩ（最大）（@ VGS=4 V） RON =140MΩ（最大）（@ VGS=2.5 V） 高速开关：吨= 16 ns（典型值）花花公子= 15 ns（典型值）
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