TM3055 3055 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
8A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.15Ω/Ohm @4A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.95-1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
N- Channel Silicon MOS FET Very High-Speed Switching Features and Applications ? Low ON-state resistance. ? 4V drive. |
| 描述与应用 |
N沟道硅MOS FET 非常高速开关 ?低通态电阻。 ?4V驱动器 |
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