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TN0200K
 型号：  TN0200K
 标记/丝印/代码/打字：  
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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TN0200K  的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 730mA/0.73A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.4Ω/Ohm @4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications
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