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TN0201K
 型号：  TN0201K
 标记/丝印/代码/打字：  W1A
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  04+
 库存数量：  2500
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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TN0201K W1A 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 420mA/0.42A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.8Ω/Ohm @100mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications FEATURES TrenchFET Power MOSFET
描述与应用 功率MOSFET
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