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TPC6101
 型号:  TPC6101
 标记/丝印/代码/打字:  S3A
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-163/SOT23-6/VS-6
 批号:  05+NOPB3K
 库存数量:  32550
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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TPC6101 S3A 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -4.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.048Ω @-2.2A,-4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.2W
Description & Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 48 m? (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = ?10 μA (max) (VDS = ?20 V) Enhancement-model: Vth = ?0.5 to ?1.2 V (VDS = ?10 V, ID = ?200 μA)
描述与应用 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 低漏源导通电阻RDS(ON)= 48mΩ(典型值) 高正向转移导纳:| YFS|= 8.2 S(典型值) 低漏电流:IDSS= -10μA(最大)(VDS=-20 V) 增强模式:VTH =-0.5至-1.2 V(VDS= -10 V,ID= -200μA)
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