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UPA650TT-E1
 型号：  UPA650TT-E1
 标记/丝印/代码/打字：  WD
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-363/SC70-6
 批号：  06NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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UPA650TT-E1 WD 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.040Ω @-2.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45--1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications FEATURES ? 2.5 V drive available ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 58 m? MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?3.0 A) RDS(on)2 = 60 m? MAX. (VGS = ?4.0 V, ID = ?3.0 A) RDS(on)3 = 84 m? MAX. (VGS = ?2.5 V, ID = ?3.0 A)
描述与应用 ?2.5 V驱动器可用 ?低通态电阻 的RDS（on）1 =58mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-3.0 A） 的RDS（on）=60mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-3.0 A） 的RDS（on）3 =84mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-3.0 A）
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