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VSS849TR
 型号：  VSS849TR
 标记/丝印/代码/打字：  49R
 厂家：  JAT
 封装：  SOT-143
 批号：  05+
 库存数量：  500
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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VSS849TR 49R 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 16V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 8-12V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Features Integrated gate protection diodes Low noise figure High gain Biasing network on chip Improved cross modulation at gain reduction High AGC-range SMD package
描述与应用 综合栅极保护二极管 低噪声系数 高增益 偏置片上网络 改进的交叉调制增益降低 高AGC范围 SMD封装
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