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NTS2101PT1G
 型号：  NTS2101PT1G
 标记/丝印/代码/打字：  TS
 厂家：  ON
 封装：  SOT-323/SC70
 批号：  NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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NTS2101PT1G TS 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -8V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -1.4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.065Ω @-1A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.9W
Description & Applications Features ? Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life ? ?1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive ? SC?70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm) ? Pb?Free Package is Available
描述与应用 ?领导沟道技术低的RDS（on） 延长电池寿命 ?-1.8 V额定低电压栅极驱动 SC-70小尺寸表面贴装（2×2毫米） ?无铅包装是可用
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