2SC6026MFV-GR HG 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA/0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
60MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type General-Purpose Amplifier Applications ? High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) ? Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) ? High hFE : hFE = 120~400 |
| 描述与应用 |
晶体管的硅NPN外延型 通用放大器应用 ?高电压和高电流 VCEO=50 V，IC=150 mA（最大） ?优秀的HFE线性： ????????????HFE（IC= 0.1毫安）/ HFE（IC= 2毫安）= 0.95 ?高HFE：HFE=120?400 |
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