|
|
|
|
|
|
|
TP0101K K4 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-5.8A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.65Ω,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.5--1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
|
| 描述与应用 |
|
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| TP0101TS |
PS |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| TP0101TS-T1 |
PS |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
9460 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| TP0101T-T1 |
PO |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
35300 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| TP0101T-T1 |
PO |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| TP0101K |
K4 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2700 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
|
|
|
