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UNR921MJ0L
 型号：  UNR921MJ0L
 标记/丝印/代码/打字：  EL
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-523
 批号：  08NOPB
 库存数量：  79400
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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UNR921MJ0L EL 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 0.047
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.125W/125mW
Description & Applications Silicon NPN epitaxial planer transistr For digital circuits Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through tape packing and magazine packing.
描述与应用 NPN硅外延平面晶体管的 用于数字电路 特性 成本可降低通过减员设备和 减少部件的数量。 迷你型包装，使瘦身的设备和 通过自动插入磁带包装盒包装
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