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VESD05A1B-HD1-GS08
 型号：  VESD05A1B-HD1-GS08
 标记/丝印/代码/打字：  OK
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOD882/LLP1006-2L
 批号：  08+NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  二极管Diodes
  瞬态抑制二极管(TVS)/(ESD)
    单通道1 Channel
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VESD05A1B-HD1-GS08 OK 的参数
极性 Polarization 单向 Unidirectional
反向关断电压/工作电压VRWM Reverse Standoff Voltage 5V
反向击穿电压VBR Breakdown Voltage 6.8V
峰值脉冲耗散功率PPPM Peak Pulse Power Dissipation 33W
峰值脉冲电流IPPm Peak Forward Surge Current 3A
额定耗散功率Pd Power dissipation
Description & Applications FEATURES ?Vishay Semiconductors ?ESD-Protection Diode in LLP1006-2L ?Ultra compact LLP1006-2L package ?Low package height < 0.4 mm ?1-line ESD-protection ?Low leakage current < 0.1 μA ?Low load capacitance CD = 12 pF(VR = 2.5 V; f = 1 MHz) ?ESD-protection acc. IEC 61000-4-2 ± 30 kV contact discharge ± 30 kV air discharge ?High surge current acc. IEC61000-4-5 IPP > 3 A ?Pin plating NiPdAu (e4) no whisker growth ?e4 - precious metal (e.g. Ag, Au, NiPd, NiPdAu) (no Sn) ?Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
描述与应用 特点 ?威世半导体 ?LLP1006-2L的ESD保护二极管 ?超小型LLP1006-2L封装 ?低封装高度<0.4毫米 ?1线ESD保护 ?低漏电流小于0.1μA ?低负载??电容CD=12 PF（VR= 2.5 V，F =1兆赫） ?ESD保护ACC。 IEC61000-4-2 ±30 kV接触放电 ±30 kV空气放电 ?高浪涌电流符合。 IEC61000-4-5 IPP>3 A ?引脚镀镍钯金（E4）无晶须生长E4 - 贵重金属（如银，金，镍钯，镍钯金）（无锡） ?符合RoHS指令2002/95/EC，并符合WEEE 2002/96/EC
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