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TM3055A-S-TL 3055 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
8A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.09Ω/Ohm @4A,10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
1.2-2.6V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
Description & Applications |
Ultrahigh-Speed Switching Applications Features and Applications ? Low ON-state resistance. ? 4V drive. |
描述与应用 |
超高速开关应用 ?低通态电阻。 ?4V驱动器 |
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在线阅读 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
TM3055 |
3055 |
SANYO |
05+ |
TO-252/TP-FA |
700 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
TM3055A-S-TL |
3055 |
SANYO |
02+ |
TO-252/TP-FA |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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TM3055B |
3055 |
SANYO |
05+ |
TO-252/TP-FA |
600 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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TM3055A-S-TL |
3055 |
SANYO |
02+ |
TO-252/TP-FA |
700 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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TM3055 |
3055 |
SANYO |
05+ |
TO-252/TP-FA |
950 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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