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LL101C-GS08 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
40V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
30mA |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
900mV/0.9V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
400MW/0.4W |
| Description & Applications |
? The LL101 series is a metal-on-silicon Schottky barrier device which is protected by a PN junction guard ring. ? The low forward voltage drop and fast switching make it ideal for protection of MOS devices, steering, biasing and coupling diodes for fast switching and low logic level applications. ? Integrated protection ring against static discharge ? Low capacitance ? Low leakage current ? HF-Detector ? Protection circuit ? Diode for low currents wits a low supply voltage ? Small battery charger ? Power supplies ? DC / DC converter for notebooks |
| 描述与应用 |
?LL101系列是一个金属硅肖特基势垒装置，PN结保护环。 ??低正向压降和快速开关使其成为理想的MOS保护装置，转向，偏置和耦合二极管快速开关，低逻辑电平应用。 ??集成的防止静电放电保护环 ??低电容 ??低漏电流 ??HF探测器 ??保护电路 ??低电流斗智斗勇低电源电压的二极管 ??小型电池充电器 ??电源 ??DC / DC转换器，用于笔记本电脑 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
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标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| LL101A-GS08 |
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VISHAY |
05+ |
SOD80/LL34 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| LL101C-07 |
|
FRANCE |
05+ |
SOD80/LL34 |
2700 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| LL101C-07 |
|
FRANCE |
05+ |
SOD80/LL34 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| LL101C-GS08 |
|
VISHAY |
05+ |
SOD80/LL34 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| LL101C-GS08 |
|
VISHAY |
06NOPB |
SOD80/LL34 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| LL101B-GS08 |
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VISHAY |
06+ROHS |
SOD80/LL34 |
2400 |
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查看 |
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