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2N7002
 型号：  2N7002
 标记/丝印/代码/打字：  S72
 厂家：  PANJIT
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  07+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2N7002 S72 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 115mA/0.115A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1.2Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET Suitable for logic level gate drive sources Very fast switching Surface-mounted package Trench MOSFET technology
描述与应用 表面贴装 N沟道增强型场效应晶体管 特性 60 V，300毫安N通道沟道MOSFET 适用于逻辑电平栅极驱动源 开关速度非常快 表面贴装封装 沟道MOSFET技术
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