PMF780SN F1 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
570mA/0.57A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
560mW/0.56W |
| Description & Applications |
N-channel μTrenchMOS? ultra low level FET Description N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Low on-state resistance n Low threshold voltage. |
| 描述与应用 |
N沟道μTrenchMOS?超低水平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS?技术 表面贴装封装 足迹比SOT23小40％ 低通态电阻n低阈值电压 |
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