SI8413DB-T1-E1 8413 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-6.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.0393Ω @-1A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.6V-1.4V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2.77W |
| Description & Applications |
FEATURES ? TrenchFET Power MOSFET ? MICRO FOOT Chipscale Packaging Reduces Footprint Area Profile (0.62 mm) and On-Resistance Per Footprint Area |
| 描述与应用 |
芯片级封装 减少占位面积简介（0.62毫米） 每占位面积导通电阻 |
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