SI8424DB-T1-E1 8424 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
8V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
5V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
12.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.031Ω/Ohm @1A,4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.35-1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
6.25W |
| Description & Applications |
N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET Power MOSFET ? Industry First 1.2 V Rated MOSFET ? Ultra Small MICRO FOOTChipscale Packaging Reduces Footprint Area, Profile (0.62 mm) and On-Resistance Per Footprint Area |
| 描述与应用 |
1.2-V的N沟道MOSFET（G-S） ?TrenchFET功率MOSFET ?业界首款1.2 V额定MOSFET ?超小型MICRO FOOT 芯片级 包装减少占位面积，简介 （0.62毫米），每占位面积导通电阻 |
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