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SSM6J207FE
 型号：  SSM6J207FE
 标记/丝印/代码/打字：  KT
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-563/ES6
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SSM6J207FE KT 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -1.4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 491m?@ VGS = -4V, ID = -400mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.2~-2.6V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type ○ High-Speed Switching Applications ? 4 V drive ? Low ON-resistance:Ron = 491 mΩ (max) (@VGS = ?4 V) Ron = 251 mΩ (max) (@VGS = ?10 V)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型 ○高速开关应用 ?4 V驱动器 ?低导通电阻：Ron = 491 mΩ (max) (@VGS = ?4 V) Ron = 251 mΩ (max) (@VGS = ?10 V)
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