SSM6K22FE KD 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1.4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
170m?@ VGS = 4V, ID = 700mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4~1.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅢ) High Current Switching Applications DC-DC Converter ? Suitable for high-density mounting due to compact package ? Low on resistance: Ron = 170 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) Ron = 230 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOSⅢ） 高电流开关应用 DC-DC转换器 ?适用于高密度安装由于紧凑的封装 ?低导通电阻RON =170MΩ（最大）（@ VGS=4.0 V） RON =230MΩ（最大）（@ VGS=2.5 V） |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
