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SSM6K211FE
 型号：  SSM6K211FE
 标记/丝印/代码/打字：  NQ
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-563/ES6
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  20000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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SSM6K211FE NQ 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 3.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.047Ω/Ohm @2A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.35-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications High-Speed Switching Applications Power Management Switch Applications ? 1.5V drive ? Low ON-resistance: Ron = 307 m? (max) (@VGS = 1.5V) Ron = 214 m? (max) (@VGS = 1.8V) Ron = 164 m? (max) (@VGS = 2.5V) Ron = 126 m? (max) (@VGS = 4.0V)
描述与应用 高速开关应用 电源管理开关应用 ?1.5V驱动 ?低导通电阻：罗恩=307MΩ（最大）（@ VGS=1.5V） 罗恩=214MΩ（最大（@ VGS=1.8V） 罗恩=164MΩ（最大（@ VGS= 2.5V） 罗恩=126MΩ（最大）（@ VGS=4.0V）
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