XP152A11E5MR 211 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-700mA/-0.7A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.20Ω @-400mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--3.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
FEATURES Low On-State Resistance : Rds(on) = 0.25Ω@ Vgs = -10V Rds(on) = 0.45Ω@ Vgs = -4.5V Ultra High-Speed Switching Gate Protect Diode Built-in Driving Voltage : -4.5V P-Channel Power MOSFET DMOS Structure Small Package : SOT-23 |
| 描述与应用 |
低导通电阻：RDS（ON）=0.25Ω@ VGS=-10V 的Rds（on）=0.45Ω@ VGS=-4.5V 超高速开关 内置栅极保护二极管 驱动电压：-4.5V P沟道功率MOSFET DMOS结构式 小封装：SOT-23 |
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