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1N5819HW-7-F SL 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
40V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
1A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
450mV/0.45V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
450MW/0.45W |
| Description & Applications |
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER · Guard Ring Die Construction for Transient Protection · Low Power Loss, High Efficiency · High Surge Capability · High Current Capability and Low Forward Voltage Drop · For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity Protection Application . SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 描述与应用 |
1.0A表面装载肖特基整流器 ·保护环电路,瞬态保护 ·低功耗，高效率 ·高浪涌能力 ·大电流和低正向压降 ·低电压，高频率逆变器， 续流和极性保护。 肖特基垒势二极管 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 1N5817MT-I |
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DIODES |
06+ |
MELF |
213 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| 1N5819HW-7 |
SL |
DIODES |
05+NOPB200 |
SOD-123/1206 |
3240 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| 1N5819HW-7-F |
SL |
DIODES |
07NOPB |
SOD-123/1206 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| 1N5818M |
|
FRANCE |
05+ |
|
160 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| 1N5819M-13 |
|
DIODES |
06+ |
1WR |
15080 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes |
查看 |
| 1N5817LT1 |
5 |
ON |
05+ |
|
2500 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| 1N5819M-13 |
|
DIODES |
06+ |
1WR |
5000 |
二极管Diodes |
查看 |
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