2N7002TA 702 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
40V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
115mA/0.115A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
7.5Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
330mW/0.33W |
| Description & Applications |
60V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET Description A small signal MOSFET for general purpose switching applications. Features 60V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET Fast switching speed Low gate drive capability SOT23 package |
| 描述与应用 |
60V SOT23 N沟道增强型MOSFET 描述 小信号MOSFET通用开关应用。 特性 60V SOT23 N沟道增强型MOSFET 开关速度快 低栅极驱动能力 SOT23封装 |
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