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2N7002VA-7
 型号：  2N7002VA-7
 标记/丝印/代码/打字：  KAY
 厂家：  DIODES
 封装：  SOT-563
 批号：  04+
 库存数量：  21000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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2N7002VA-7 KAY 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 280mA/0.28A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 7.5?@ VGS = 5V,ID = 50mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1~2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free By Design/RoHS Compliant
描述与应用 双N沟道增强型场效应晶体管 特点 双N沟道MOSFET 低导通电阻？ 低栅极阈值电压 低输入电容？ 开关速度快吗？ 低输入/输出漏？ 超小型表面贴装封装 无铅设计/符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求
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