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2PB1219AR
 型号：  2PB1219AR
 标记/丝印/代码/打字：  Dtr
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2PB1219AR Dtr 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?500mA/-0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 120MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~240
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage ?600mV/-0.6V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications PNP medium power transistors FEATURES ? High current (max. 500 mA) ? Low voltage (max. 50 V) ? Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification.
描述与应用 PNP中等功率晶体管 特点 ?高电流（最大500毫安） ?低电压（最大50 V） ?低集电极 - 发射极饱和电压（最大600毫伏）。 应用 ?通用开关和放大
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