2PB710AR DR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
120MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~240 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?600mV/-0.6V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
PNP medium power transistors FEATURES ? High current (max. 500 mA) ? Low voltage (max. 50 V) ? Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification. |
| 描述与应用 |
PNP中等功率晶体管 特点 ?高电流（最大500毫安） ?低电压（最大50 V） ?低集电极 - 发射极饱和电压（最大600毫伏）。 应用 ?通用开关和放大 |
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